Insulated-gate bipolar transistor
Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) er en elektronisk komponent, der kombinerer MOSFET- og bipolar transistor-teknologi.
IGBT diagramsymbol.
En IGBT pakket ind i et hus med skrueterminaler. IGBTen kan klare 3300V og 1200A og er en Mitsubishi CM1200HC-66H.
Lodret tværsnit principtegning af en IGBT.
En karakteristik af en IGBT.
Bruges den strømstærke operationsforstærker, AD8031, i kontrolkredsløbet, er et ret ret afladningsforløb og en ekstremt lodret forflanke indenfor det opnåelige. Herved opnås høje spændinger – ja op til mange mange kilovolt – ved fuld kontrol.
Se også
Eksterne henvisninger
- About the inventors Arkiveret 20. september 2006 hos Wayback Machine
- Device physics information from the University of Glasgow
- Spice model for IGBT
 | Spire Denne naturvidenskabsartikel er en spire som bør udbygges. Du er velkommen til at hjælpe Wikipedia ved at udvide den. |
This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.