LDMOS

En LDMOS-transistor (akronym for laterally diffused metal oxide semiconductor[1]) er en effekt-MOSFET-transistor variant, der anvendes i mikrobølge/RF-effektforstærkere. LDMOS-transistorer bliver ofte fabrikeret på p/p⁺ silicium epitaxial lag. Fabrikationen af LDMOS enheder omfatter mest forskellige ion-implantationer og efterfølgende mekanisk spændingsudligningscykler.[1]

Eksempel på to LDMOS-transistorer i ét hus (produktkode BLF861A). Bemærk de brede tilledninger. Grunden til deres bredde er, at radiofrekvensstrømme kun løber i overfladen af metaller. Så for at minske tilledningsresistansen gøres de så brede som et kompromis mellem resistanstab og pris.

Eksempel på en monteret LDMOS-transistorchip (produktkode BLF2045). Drain er foroven (flest påsvejsede små bonding-ledere) og gate forneden. Metalpladen under mikrochippen er source.

Silicium-baserede LDMOS FETs er bredt anvendt i RF-effektforstærkere for basisstationer grundet kravet om høj udgangseffekt med en korresponderende drain-til-source breakdown-spænding der sædvanligvis er højere end 60 volt.[2] Sammenlignet med andre enheder såsom GaAs FETs, har LDMOS lavere Ft.

Producenter af LDMOS-enheder og LDMOS teknologier omfatter TSMC, LFoundry, Tower Semiconductor, GlobalFoundries, Vanguard International Semiconductor Corporation, STMicroelectronics, Infineon Technologies, RFMD, Freescale Semiconductor, NXP Semiconductors, SMIC, MK Semiconductors, Polyfet og Ampleon.

RF-effektforstærkere baseret på en enkelt LDMOS-enhed lider af relativ lav effektivitet når anvendt i 3G og 4G (LTE) netværk, grundet til den høje spids-til-middel-effekt af modulationstyperne; CDMA og OFDMA access teknikker, anvendt i disse kommunikationssystemer. Effektiviteten af LDMOS effektforstærkere kan øges ved at anvende typiske effektivitetsforbedrende teknikker, fx Doherty topologier eller envelope-tracking.[3]

Kilder/referencer

A. Elhami Khorasani, IEEE Electron Dev. Lett., vol. 35, pp. 1079-1081, 2014
van Rijs, F. (2008). "Status and trends of silicon LDMOS base station PA technologies to go beyond 2.5 GHz applications". Radio and Wireless Symposium, 2008 IEEE. Orlando, FL. s. 69-72. doi:10.1109/RWS.2008.4463430. {{cite conference}}: Ukendt parameter |booktitle= ignoreret (|book-title= foreslået) (hjælp)
Draxler, P.; Lanfranco, S.; Kimball, D.; Hsia, C.; Jeong, J.; De Sluis, J.; Asbeck, P. (2006). "High Efficiency Envelope Tracking LDMOS Power Amplifier for W-CDMA". 2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. s. 1534-1537. doi:10.1109/MWSYM.2006.249605. ISBN 978-0-7803-9541-1.

Eksterne henvisninger

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. Additional terms may apply for the media files.

[ref1-1] A. Elhami Khorasani, IEEE Electron Dev. Lett., vol. 35, pp. 1079-1081, 2014

[2] van Rijs, F. (2008). "Status and trends of silicon LDMOS base station PA technologies to go beyond 2.5 GHz applications". Radio and Wireless Symposium, 2008 IEEE. Orlando, FL. s. 69-72. doi:10.1109/RWS.2008.4463430. {{cite conference}}: Ukendt parameter |booktitle= ignoreret (|book-title= foreslået) (hjælp)

[DraxlerLanfranco2006-3] Draxler, P.; Lanfranco, S.; Kimball, D.; Hsia, C.; Jeong, J.; De Sluis, J.; Asbeck, P. (2006). "High Efficiency Envelope Tracking LDMOS Power Amplifier for W-CDMA". 2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. s. 1534-1537. doi:10.1109/MWSYM.2006.249605. ISBN 978-0-7803-9541-1.